Chip del MOSFET IC di N-CH BSC0901NSATMA1, 30V 28A 100A TDSON BSC0901NS
Chip del MOSFET IC di N-CH
,BSC0901NSATMA1 chip del MOSFET IC
,BSC0901NS
Ottimizzi la vostra gestione di potere con Antminer S9 BSC0901NS OptiMOS
Il portone ultrabasso, MOSFET basso di resistenza per l'efficace prestazione
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Categoria |
Prodotti a semiconduttori discreti |
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Transistor - FETs, MOSFETs - singoli |
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Pacchetto |
Nastro & bobina (TR) |
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Stato della parte |
Attivo |
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Tipo del FET |
N-Manica |
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Tecnologia |
MOSFET (ossido di metallo) |
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Vuoti a tensione di fonte (Vdss) |
30 V |
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Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C |
28A (tum), 100A (TC) |
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs |
1.9mOhm @ 30A, 10V |
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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ |
2.2V @ 250µA |
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Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs |
44 nC @ 10 V |
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Vgs (massimo) |
±20V |
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Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds |
2800 PF @ 15 V |
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Caratteristica del FET |
- |
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Dissipazione di potere (massima) |
2.5W (tum), 69W (TC) |
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Temperatura di funzionamento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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Montaggio del tipo |
Supporto di superficie |
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Pacchetto/caso |
8-PowerTDFN |
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Numero del prodotto di base |
BSC0901 |