IRFP4668PBF N-Channel MOSFET IC 200V 130A 520W Chip IC elettronico
IRFP4668PBF
,IC MOSFET a canale N
,Chip elettronico del MOSFET IC
Infineon IRFP4668PBF N-Channel MOSFET - Alta potenza ed efficienza
L'IRFP4668PBF di Infineon è un MOSFET N-Channel ad alta potenza progettato per fornire prestazioni ed efficienza eccellenti in varie applicazioni.Appartiene alla serie HEXFET® ed è adatto per l'uso come singolo FET nella progettazione di circuiti. Con una tensione di scarico-sorgente (Vdss) di 200V, questo MOSFET può gestire alti livelli di tensione, rendendolo adatto per applicazioni esigenti.ha una corrente di scarico continua (Id) di 130 A a 25 °C (con la temperatura della cassa di riferimento), consentendo una robusta capacità di gestione della potenza.
IRFP4668PBF N-Channel MOSFET di Infineon - Transistor robusto e ad alte prestazioni
L'IRFP4668PBF MOSFET presenta una bassa resistenza di accensione (Rds On) di 9,7 mOhm a una corrente di scarico (Id) di 81A e una tensione di porta-sorgente (Vgs) di 10V.Questa bassa resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di potenza e migliora l'efficienza complessiva del sistema. Lavorando con una tensione di soglia (Vgs(th)) di 5 V a una Id di 250 μA, questo MOSFET richiede una tensione di azionamento fino a 10 V per prestazioni ottimali.ha una tensione massima (Vgs) di ± 30 VL'IRFP4668PBF MOSFET ha una carica di gate (Qg) di 241nC a una tensione gate-source (Vgs) di 10V.Questo parametro indica la quantità di carica necessaria per accendere e spegnere il MOSFET in modo efficiente.
Con una capacità di ingresso (Ciss) di 10,720 pF a una tensione di scarico-sorgente (Vds) di 50V, questo MOSFET fornisce un carico capacitivo adatto per i circuiti di guida.Funzionamento in un ampio intervallo di temperatura da -55°C a 175°C (TJ), l'IRFP4668PBF può resistere a varie condizioni ambientali. Il suo pacchetto TO-247-3 consente il montaggio attraverso il foro, garantendo connessioni sicure e affidabili.Il MOSFET a canale N IRFP4668PBF di Infineon è un prodotto attivoCon un'elevata dissipazione di potenza di 520W (Tc), può gestire efficacemente livelli di potenza considerevoli.
Caratteristiche tecniche:
| Caratteristica | Specificità |
|---|---|
| Produttore | Infineon |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Tipo di transistor | FET, MOSFET |
| Serie | HEXFET |
| Pacco | Tubo |
| Status del prodotto | Attivo |
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Tensione di scarico/sorgente (Vdss) | 200 V |
| Corrente di drenaggio continua (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 81A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 241 nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ± 30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10720 pF @ 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (Max) | 520 W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Attraverso il buco |
| Confezione / Cassa | TO-247-3 |
| Numero del prodotto di base | IRFP4668 |