Invia messaggio
Casa > prodotti > Chip di IC del transistor > STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Channel MOSFET Alta potenza ed efficienza

STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Channel MOSFET Alta potenza ed efficienza

Categoria:
Chip di IC del transistor
In-azione:
In magazzino
Prezzo:
negotiable
Specificità
Produttore:
STMicroelettronica
Numero del pezzo:
STB80PF55T4
Tipo:
MOSFET
Polarità:
P-Manica
Caratteristiche:
Alta potenza ed efficienza
Disponibile:
- Sì, sì.
Evidenziare:

STB80PF55T4

,

MOSFET a canale P ad alta potenza

,

STB80PF55T4 Transistor IC Chip

Introduzione

MOSFET a canale P ad alte prestazioni STB80PF55T4 per applicazioni di alimentazione

Lo STMicroelectronics STB80PF55T4 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni progettato per applicazioni di potenza che richiedono commutazioni efficienti e capacità di gestione di alta corrente.con una tensione di rottura di 55 V e una corrente nominale di scarico continuo di 80 A, questo MOSFET offre prestazioni robuste in ambienti difficili.ridurre al minimo le perdite di energia e migliorare l'efficienza complessiva del sistemaLa configurazione a canale singolo lo rende adatto a varie applicazioni di commutazione di potenza.

55V, 80A, Low Rds On - Ideale per sistemi ad alta potenza

Con un range di tensione gate-source da -16V a +16V, questo MOSFET offre flessibilità nel guidare il dispositivo e consente una facile integrazione nei progetti di circuiti esistenti.Il funzionamento in modalità di potenziamento garantisce un comportamento di commutazione affidabile e controllatoQuesto MOSFET è basato sulla tecnologia del silicio (Si), noto per le sue eccellenti prestazioni e affidabilità.offrendo vantaggi di installazione conveniente e risparmio di spazio. La STB80PF55T4 è adatta ad ambienti difficili e può sopportare condizioni di funzionamento difficili, operando su un ampio intervallo di temperature, da -55°C a +175°C.

 

Lo STB80PF55T4 MOSFET è progettato per gestire un'elevata dissipazione di potenza, con un valore di dissipazione di potenza di 300W. Ciò gli consente di gestire carichi di potenza significativi senza compromettere le prestazioni.Con tempo di salita di 190 ns e tempo di caduta di 80 ns, questo MOSFET garantisce caratteristiche di commutazione veloci ed efficienti, contribuendo a migliorare le prestazioni del sistema.la STB80PF55T4 offre un formato compatto, che consente di progettare in modo efficiente lo spazio, sia che si lavori su alimentatori, controllo motore o altre applicazioni ad alta potenza,la STMicroelectronics STB80PF55T4 P-Channel MOSFET fornisce una gestione di alta potenza, bassa resistenza, e commutazione efficiente per le vostre esigenze di progettazione.

Caratteristiche tecniche

Caratteristica Specificità
Produttore STMicroelettronica
Categoria di prodotto MOSFET
Tecnologia - Sì.
Stile di montaggio SMD/SMT
Confezione / Cassa TO-263-3
Polarità del transistor Canale P
Numero di canali 1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico 55 V
Id - Corrente di scarico continua 80 A
Rds On - Resistenza alla fonte di scarico 16 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta -16 V, +16 V
Temperatura minima di funzionamento -55°C
Temperatura massima di funzionamento +175°C
Pd - Dissipazione di potenza 300 W
Modalità canale Miglioramento
Serie STB80PF55T4
Imballaggio Rollo, nastro a taglio, Rollo del mouse.
Configurazione Non sposato
Tempo di caduta 80 ns
Trasconduttanza in avanti - Min 32 S
Altezza 4.6 mm
Distanze 10.4 mm
E'ora di alzarsi. 190 ns
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ:
1