IRG4PH50UD HA ISOLATO IL TRANSISTOR BIPOLARE DEL PORTONE CON IL DIODO MOLLE ULTRAVELOCE DI RECUPERO

Pro - e - contro di acquisto del IRG4PH50UD per i vostri apparecchi elettronici

Se state guardando per migliorare la vostra elettronica, il IRG4PH50UD può essere una grande scelta. Come transistor del MOSFET di potere, ha progettato per il rendimento elevato e l'efficienza in una gamma di applicazioni. Qui sono alcuni pro - e - contro da considerare prima che compriate:

Pro:

- Valutazioni di alto potere, con un Vds massimo di 600V e la valutazione corrente continua di 49A

- Resistenza bassa dello su stato e velocità di commutazione veloci per efficienza migliore

- Progettazione intelligente con le caratteristiche incorporate come i diodi antiparalleli e la protezione dello portone--scolo

- Adatto ad uso in una gamma di elettronica, dagli azionamenti del motore alle alimentazioni elettriche

Contro:

- A surriscaldamento incline se non ha usato correttamente, che può ridurre la prestazione e la durata della vita

- Maggio richiede i certi circuiti di sostegno supplementare o il raffreddamento per funzionare ai livelli ottimali

- Relativamente costoso confrontato ad altri transistor sul mercato

In generale, il IRG4PH50UD è un transistor di alta qualità del MOSFET di potere che può consegnare i risultati impressionanti nei vostri progetti di elettronica. Appena assicurarsi usarlo conformemente alle linee guida del produttore per i migliori risultati.

Dettagli tecnici:

• Montaggio dello stile: Attraverso il foro
• Tensione massima dell'emettitore del portone: 20 V
• Temperatura di funzionamento minima: - 55 C
• Temperatura di funzionamento massima: +150 C
• Pacchetto: TO-247-3
• Lunghezza: 15,9 MILLIMETRI
• Imballaggio: 400
• Altezza: 20,3 MILLIMETRI
• Larghezza: 5,3 MILLIMETRI
• Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima: 3,7 V
• Corrente di collettore continua CI massima: 45 A