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Larghezza stabile 4.9mm di alto potere del modulo BUP314D del transistor di Infineon IGBT

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1200V multiuso NPT IGBT, transistor di FGL40N120AND Fairchild

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Modulo ad alta velocità LKW40N120H3 pratico del transistor di Infineon IGBT

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Tranzistor multifunzionale IGBT Infineon IKP20N60T 10x9.25x4.4mm

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Alto potere del modulo del transistor di FP150R07N3E4_B11 IGBT pratico

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Manica IGBT, anti Hyperfast diodo parallelo di serie 43A 1200V N del NPT di HGTG11N120CND

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Il silicio N incanala il modulo GT60M303 multiuso del transistor di IGBT

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Transistor bipolare isolato durevole IRG4PH50UD multiuso del portone

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Modulo ad alta velocità IXGH48N60C3D1 del transistor di IGBT per la commutazione 40-100kHz

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fermata di campo della fossa di 600V 60A IGBT, serie STGWT60V60DF ad alta velocità di V

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Larghezza stabile 4.9mm di alto potere del modulo BUP314D del transistor di Infineon IGBT

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1200V multiuso NPT IGBT, transistor di FGL40N120AND Fairchild

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Modulo ad alta velocità LKW40N120H3 pratico del transistor di Infineon IGBT

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Tranzistor multifunzionale IGBT Infineon IKP20N60T 10x9.25x4.4mm

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Alto potere del modulo del transistor di FP150R07N3E4_B11 IGBT pratico

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Manica IGBT, anti Hyperfast diodo parallelo di serie 43A 1200V N del NPT di HGTG11N120CND

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Il silicio N incanala il modulo GT60M303 multiuso del transistor di IGBT

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Transistor bipolare isolato durevole IRG4PH50UD multiuso del portone

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Modulo ad alta velocità IXGH48N60C3D1 del transistor di IGBT per la commutazione 40-100kHz

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fermata di campo della fossa di 600V 60A IGBT, serie STGWT60V60DF ad alta velocità di V

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Effetto di campo di Manica del MOSFET N del modulo del transistor di STGH20N50FI IGBT

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Transistor IGBT bipolare, transistor di IRG4IBC30S 1.7V di Manica IGBT di TO-220 N

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modulo FGA25N120ANT FGA25N120ANTD del transistor della fossa IGBT di 1200V 25A NPT

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BUP403 Siemens ha isolato il bene durevole multiuso del transistor del portone

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