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Modulo ad alta velocità IXGH48N60C3D1 del transistor di IGBT per la commutazione 40-100kHz

Categoria:
Modulo del transistor di IGBT
In-azione:
In magazzino
Prezzo:
negotiable
Specificità
Numero del pezzo:
IXGH48N60C3D1
Marca:
IXYS
originale:
Circostanza:
Nuovo
Caratteristiche:
Alta velocità
Frequenza:
40-100kHz
Evidenziare:

Modulo ad alta velocità del transistor di IGBT

,

Modulo di commutazione del transistor di IGBT

,

IXGH48N60C3D1

Introduzione

Investa in IXGH48N60C3D1 per elettronica ad alta potenza

Pro - e - contro di IXGH48N60C3D1

 

Siete nel mercato per un transistor ad alta potenza per il vostro progetto di elettronica? Guardi non ulteriore di IXGH48N60C3D1. Questo transistor affidabile del NPT IGBT offre parecchi benefici, compreso:

 

Pro:

- Gestione efficiente di potere: Con una tensione di saturazione bassa dell'collettore--emettitore, questo transistor tiene conto la gestione più efficiente di potere in vostri apparecchi elettronici.

- Valutazione a corrente forte: A 48A, potete contare su questo transistor per trattare facilmente anche i carichi elettrici più esigenti.

- Progettazione durevole: Costruito per resistere alle gamme di temperature estreme (- 55°C a +175°C), questo transistor offre l'affidabilità a lungo termine. Mentre il IXGH48N60C3D1 offre parecchi vantaggi, c'è alcun contro da tenere presente, come:

 

Contro:

- Più alto costo: Come transistor ad alta potenza, il IXGH48N60C3D1 viene con un più alto prezzo da pagare che alcune delle sue controparti di minor potenza.

- Installazione specializzata: L'installazione e l'uso adeguati di questo transistor richiede la conoscenza tecnica e le abilità avanzate.

 

In generale, se state cercando un transistor credibile e potente per il vostro progetto di elettronica, IXGH48N60C3D1 è una scelta astuta. La sue gestione efficiente di potere, valutazione a corrente forte e durevolezza le operano una scelta popolare fra i creatori ed i costruttori con esperienza.

 

Dettagli tecnici:

  • Produttore: XYS
  • Categoria di prodotto: Transistor di IGBT
  • RoHS: Dettagli
  • Tecnologia: Si
  • Pacchetto/caso: TO-247AD-3
  • Montaggio dello stile: Attraverso il foro
  • Configurazione: Singolo
  • Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima: 600 V
  • Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 2,5 V
  • Tensione massima dell'emettitore del portone: - 20 V, + 20 V
  • Corrente di collettore continua a 25 C: 75 A
  • Palladio - dissipazione di potere: 300 W
  • Temperatura di funzionamento minima: - 55 C
  • Temperatura di funzionamento massima: + 150 C
  • Serie: IXGH48N60
  • Imballaggio: Metropolitana
  • Marca: IXYS
  • Corrente di collettore continua CI massima: 75 A
  • Altezza: 21,46 millimetri
  • Lunghezza: 16,26 millimetri
  • Tipo di prodotto: Transistor di IGBT
  • Sottocategoria: IGBTs
  • Larghezza: 5,3 millimetri
  • Peso specifico: 6.500 g
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Stoccaggio:
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MOQ:
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